Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Characterization of InGaN by Means of I- V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS.

Szczegóły

Tytuł:: Characterization of InGaN by Means of I- V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS.
Autorzy:: Noor ul Huda Khan Asghar, H.
Gilani, Zaheer
Awan, M.
Ahmad, I.
Tan, Yi
Źródło:: Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ). Jan2015, Vol. 40 Issue 1, p263-268. 6p.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Characterization of InGaN by Means of I- V Measurements of Respective Light-Emitting Diode (LED) by DLTS.