Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Donor and double-donor transitions of the carbon vacancy related EH6/7 deep level in 4H-SiC.

Szczegóły

Tytuł:: Donor and double-donor transitions of the carbon vacancy related EH6/7 deep level in 4H-SiC.
Autorzy:: Booker, I. D.
Janzén, E.
Son, N. T.
Hassan, J.
Stenberg, P.
Sveinbjörnsson, E. Ö.
Źródło:: Journal of Applied Physics. 6/21/2016, Vol. 119 Issue 23, p235703-1-235703-9. 9p. 1 Chart, 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Donor and double-donor transitions of the carbon vacancy related EH6/7 deep level in 4H-SiC.