Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb.

Szczegóły

Tytuł:: Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb.
Autorzy:: Stariy, S. V.
Sukach, A. V.
Tetyorkin, V. V.
Yukhymchuk, V. O.
Stara, T. R.
Źródło:: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2017, Vol. 20 Issue 1, p105-109. 5p.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Effect of thermal annealing on electrical and photoelectrical properties of n-InSb.