Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Trends in Reverse-Current Change in Tunnel MIS Diodes with Calcium Fluoride on Si(111) Upon the Formation of an Extra Oxide Layer.

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: Trends in Reverse-Current Change in Tunnel MIS Diodes with Calcium Fluoride on Si(111) Upon the Formation of an Extra Oxide Layer.
Autorzy:: Banshchikov, A. G. (AUTHOR)
Illarionov, Yu. Yu. (AUTHOR)
Vexler, M. I. (AUTHOR)
Wachter, S. (AUTHOR)
Sokolov, N. S. (AUTHOR)
Źródło:: Semiconductors. Jun2019, Vol. 53 Issue 6, p833-837. 5p.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Trends in Reverse-Current Change in Tunnel MIS Diodes with Calcium Fluoride on Si(111) Upon the Formation of an Extra Oxide Layer.