Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Characteristics of displacement defects in PNP transistors caused by heavy ion irradiation.

Szczegóły

Tytuł :: Characteristics of displacement defects in PNP transistors caused by heavy ion irradiation.
Autorzy :: Yang, Jianqun (AUTHOR)
Sun, Xiangsong (AUTHOR)
Yu, Xueqiang (AUTHOR)
Qin, Zhaohui (AUTHOR)
Li, Xingji (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Mar2020, Vol. 467, p86-90. 5p.
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Characteristics of displacement defects in PNP transistors caused by heavy ion irradiation.