Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Development and Study of the p–i–n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation.

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: Development and Study of the p–i–n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation.
Autorzy:: Kalinovskii, V. S. (AUTHOR)
Kontrosh, E. V. (AUTHOR)
Klimko, G. V. (AUTHOR)
Ivanov, S. V. (AUTHOR)
Yuferev, V. S. (AUTHOR)
Ber, B. Y. (AUTHOR)
Kazantsev, D. Y. (AUTHOR)
Andreev, V. M. (AUTHOR)
Źródło:: Semiconductors. Mar2020, Vol. 54 Issue 3, p355-361. 7p.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Development and Study of the p–i–n GaAs/AlGaAs Tunnel Diodes for Multijunction Converters of High-Power Laser Radiation.