Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation.

Szczegóły

Tytuł :: Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation.
Autorzy :: Uvarov, A V (AUTHOR)
Gudovskikh, A S (AUTHOR)
Nevedomskiy, V N (AUTHOR)
Baranov, A I (AUTHOR)
Kudryashov, D A (AUTHOR)
Morozov, I A (AUTHOR)
Kleider, J-P (AUTHOR); Pokaż więcej
Źródło :: Journal of Physics: D Applied Physics. 8/19/2020, Vol. 53 Issue 34, p1-6. 6p.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Low temperature epitaxial growth of GaP on Si by atomic-layer deposition with plasma activation.