Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Influence of neutron radiation on majority and minority carrier traps in n-type 4H-SiC.

Tytuł :
Influence of neutron radiation on majority and minority carrier traps in n-type 4H-SiC.
Autorzy :
Capan, Ivana (AUTHOR)
Brodar, Tomislav (AUTHOR)
Yamazaki, Yuichi (AUTHOR)
Oki, Yuya (AUTHOR)
Ohshima, Takeshi (AUTHOR)
Chiba, Yoji (AUTHOR)
Hijikata, Yasuto (AUTHOR)
Snoj, Luka (AUTHOR)
Radulović, Vladimir (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B. Sep2020, Vol. 478, p224-228. 5p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies