Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Analytical modeling of surface potential, capacitance and drain current of heterojunction TFET.

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: Analytical modeling of surface potential, capacitance and drain current of heterojunction TFET.
Autorzy:: Kaur, Sarabjeet (AUTHOR)
Raman, Ashish (AUTHOR)
Sarin, Rakesh Kumar (AUTHOR)
Źródło:: Applied Physics A: Materials Science & Processing. Oct2020, Vol. 126 Issue 10, p1-11. 11p. 1 Illustration, 1 Chart, 4 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Analytical modeling of surface potential, capacitance and drain current of heterojunction TFET.