Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Influence of growth temperature on defect states throughout the bandgap of MOCVD-grown β-Ga2O3.

Tytuł :
Influence of growth temperature on defect states throughout the bandgap of MOCVD-grown β-Ga2O3.
Autorzy :
Ghadi, Hemant (AUTHOR)
McGlone, Joe F. (AUTHOR)
Feng, Zixuan (AUTHOR)
Bhuiyan, A F M Anhar Uddin (AUTHOR)
Zhao, Hongping (AUTHOR)
Arehart, Aaron R. (AUTHOR)
Ringel, Steven A. (AUTHOR)
Pokaż więcej
Źródło :
Applied Physics Letters. 10/26/2020, Vol. 117 Issue 17, p1-6. 6p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies