Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Modeling of In0.17Ga0.83N/InxGa1-xN/AlyGa1-yN light emitting diode structure on ScAlMgO4 (0001) substrate for high intensity red emission.

Szczegóły

Tytuł:: Modeling of In0.17Ga0.83N/InxGa1-xN/AlyGa1-yN light emitting diode structure on ScAlMgO4 (0001) substrate for high intensity red emission.
Autorzy:: Hussain, S.
Rahman, Md. M.
Prodhan, Md. T.
Alternatywny tytuł:: Моделювання структури світлодіодів In0.17Ga0.83N/InxGa1-xN/AlyGa1-yN на підкладці ScAlMgO4 (0001) для випромінювання червоного кольору високої інтенсивності
Źródło:: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2020, Vol. 23 Issue 4, p408-414. 7p.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Modeling of In0.17Ga0.83N/InxGa1-xN/AlyGa1-yN light emitting diode structure on ScAlMgO4 (0001) substrate for high intensity red emission.