Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Mechanism understanding in cryo atomic layer etching of SiO2 based upon C4F8 physisorption.

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: Mechanism understanding in cryo atomic layer etching of SiO2 based upon C4F8 physisorption.
Autorzy:: Antoun, G.
Tillocher, T.
Lefaucheux, P.
Faguet, J.
Maekawa, K.
Dussart, R.
Źródło:: Scientific Reports. 1/11/2021, Vol. 11 Issue 1, p1-10. 10p.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Mechanism understanding in cryo atomic layer etching of SiO2 based upon C4F8 physisorption.