Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.

Tytuł:
Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.
Autorzy:
Jabli, F. (AUTHOR)
Dhouibi, S. (AUTHOR)
Gassoumi, M. (AUTHOR)
Źródło:
Semiconductors. Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p379-383. 5p.
Czasopismo naukowe
Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz