Інформація

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Назва предмета:

Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.

Tytuł:
Improvement in Electrical and 2DEG Properties of Al0.26Ga0.74N|GaN|Si HEMTs.
Autorzy:
Jabli, F. (AUTHOR)
Dhouibi, S. (AUTHOR)
Gassoumi, M. (AUTHOR)
Źródło:
Semiconductors. Mar2021, Vol. 55 Issue 3, p379-383. 5p.
Czasopismo naukowe
Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Надіслати думку

Ваш відгук дуже важливий для нас і може бути надзвичайно корисним, щоб показати нам, де ми можемо покращити. Ми були б дуже вдячні, якби ви витратили кілька хвилин, щоб заповнити цю коротку форму.

Формуляр