Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers.

Szczegóły

Tytuł:: Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers.
Autorzy:: Vacek, Petr (AUTHOR)
Frentrup, Martin (AUTHOR)
Lee, Lok Yi (AUTHOR)
Massabuau, Fabien C.-P. (AUTHOR)
Kappers, Menno J. (AUTHOR)
Wallis, David J. (AUTHOR)
Gröger, Roman (AUTHOR)
Oliver, Rachel A. (AUTHOR)
Źródło:: Journal of Applied Physics. 4/21/2021, Vol. 129 Issue 15, p1-10. 10p.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Defect structures in (001) zincblende GaN/3C-SiC nucleation layers.