Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Performance prediction of InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors for THz applications.

Tytuł:
Performance prediction of InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors for THz applications.
Autorzy:
Wen, Xin (AUTHOR)
Arabhavi, Akshay (AUTHOR)
Quan, Wei (AUTHOR)
Ostinelli, Olivier (AUTHOR)
Mukherjee, Chhandak (AUTHOR)
Deng, Marina (AUTHOR)
Frégonèse, Sébastien (AUTHOR)
Zimmer, Thomas (AUTHOR)
Maneux, Cristell (AUTHOR)
Bolognesi, Colombo R. (AUTHOR)
Luisier, Mathieu (AUTHOR)
Źródło:
Journal of Applied Physics. 7/21/2021, Vol. 130 Issue 3, p1-12. 12p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies