Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers.

Tytuł:
Realization of 366 nm GaN/AlGaN single quantum well ultraviolet laser diodes with a reduction of carrier loss in the waveguide layers.
Autorzy:
Yang, J. (AUTHOR)
Wang, B. B. (AUTHOR)
Zhao, D. G. (AUTHOR)
Liu, Z. S. (AUTHOR)
Liang, F. (AUTHOR)
Chen, P. (AUTHOR)
Zhang, Y. H. (AUTHOR)
Zhang, Z. Z. (AUTHOR)
Źródło:
Journal of Applied Physics. 11/7/2021, Vol. 130 Issue 17, p1-6. 6p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies