Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electron beam irradiation of gallium nitride-on-silicon betavoltaics fabricated with a triple mesa etch.

Szczegóły

Tytuł:: Electron beam irradiation of gallium nitride-on-silicon betavoltaics fabricated with a triple mesa etch.
Autorzy:: Heuser, T. (AUTHOR)
Braun, M. (AUTHOR)
McIntyre, P. (AUTHOR)
Senesky, D. G. (AUTHOR)
Źródło:: Journal of Applied Physics. 11/7/2021, Vol. 130 Issue 17, p1-8. 8p.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Electron beam irradiation of gallium nitride-on-silicon betavoltaics fabricated with a triple mesa etch.