Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

On-line DLTS investigations of vacancy related defects in low-temperature electron irradiated, boron-doped Si.

Tytuł :
On-line DLTS investigations of vacancy related defects in low-temperature electron irradiated, boron-doped Si.
Autorzy :
Zangenberg, N.R.
Larsen, A. Nylandsted
Pokaż więcej
Źródło :
Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2005, Vol. 80 Issue 5, p1081-1086. 6p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies