Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Investigation of aging process of Si–SiOx structures with silicon quantum dots.

Szczegóły

Tytuł:: Investigation of aging process of Si–SiOx structures with silicon quantum dots.
Autorzy:: Baran, M.
Khomenkova, L.
Korsunska, N.
Stara, T.
Sheinkman, M.
Goldstein, Y.
Jedrzejewski, J.
Savir, E.
Źródło:: Journal of Applied Physics. 12/1/2005, Vol. 98 Issue 11, p113515. 5p. 3 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Investigation of aging process of Si–SiOx structures with silicon quantum dots.