Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

DLTS and in situ C-V analysis of trap parameters in swift 50 MeV Li3+ ion-irradiated Ni/SiO2/Si MOS capacitors.

Szczegóły
Pełny tekst

Tytuł:: DLTS and in situ C-V analysis of trap parameters in swift 50 MeV Li3+ ion-irradiated Ni/SiO2/Si MOS capacitors.
Autorzy:: Shashank, N. (AUTHOR)
Singh, Vikram (AUTHOR)
Gupta, SanjeevK. (AUTHOR)
Madhu, K.V. (AUTHOR)
Akhtar, J. (AUTHOR)
Damle, R. (AUTHOR)
Źródło:: Radiation Effects & Defects in Solids: Incorporating Plasma Techniques & Plasma Phenomena. Apr2011, Vol. 166 Issue 4, p313-322. 10p. 2 Charts, 7 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

DLTS and in situ C-V analysis of trap parameters in swift 50 MeV Li3+ ion-irradiated Ni/SiO2/Si MOS capacitors.