Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

GaAs in GaSb: Strained Nanostructures for Mid-Infrared Optoelectronics.

Szczegóły

Tytuł:: GaAs in GaSb: Strained Nanostructures for Mid-Infrared Optoelectronics.
Autorzy:: Solov’ev, V. A.
Toropov, A. A.
Meltser, B. Ya.
Terent’ev, Ya. A.
Kyutt, R. N.
Sitnikova, A. A.
Semenov, A. N.
Ivanov, S. V.
Motlan
Goldys, E. M.
Kop’ev, P. S.
Źródło:: Semiconductors. Jul2002, Vol. 36 Issue 7, p816. 5p.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

GaAs in GaSb: Strained Nanostructures for Mid-Infrared Optoelectronics.