Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Photosensitivity of GaAs : N(GaP : N)/GaAs(GaP) heterojunctions in linearly polarized radiation.

Szczegóły

Tytuł:: Photosensitivity of GaAs : N(GaP : N)/GaAs(GaP) heterojunctions in linearly polarized radiation.
Autorzy:: Ivanov-Omskiı, V. I.
Rud’, Yu. V.
Rud’, V. Yu.
Źródło:: Technical Physics. Jun99, Vol. 44 Issue 6, p732. 4p.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Photosensitivity of GaAs : N(GaP : N)/GaAs(GaP) heterojunctions in linearly polarized radiation.