Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Hole defects in molecular beam epitaxially grown p-GaAs introduced by alpha irradiation.

Szczegóły

Tytuł:: Hole defects in molecular beam epitaxially grown p-GaAs introduced by alpha irradiation.
Autorzy:: Goodman, S. A.
Auret, F. D.
Meyer, W. E.
Źródło:: Journal of Applied Physics. 1/15/1994, Vol. 75 Issue 2, p1222. 3p. 1 Chart, 1 Graph.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Hole defects in molecular beam epitaxially grown p-GaAs introduced by alpha irradiation.