Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Point defects introduced by InN alloying into InxGa1-xN probed using a monoenergetic positron beam.

Szczegóły

Tytuł:: Point defects introduced by InN alloying into InxGa1-xN probed using a monoenergetic positron beam.
Autorzy:: Uedono, A.
Tsutsui, T.
Watanabe, T.
Kimura, S.
Zhang, Y.
Lozac'h, M.
Sang, L. W.
Ishibashi, S.
Sumiya, M.
Źródło:: Journal of Applied Physics. Mar2013, Vol. 113 Issue 12, p123502. 6p. 6 Graphs.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Point defects introduced by InN alloying into InxGa1-xN probed using a monoenergetic positron beam.