Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Temperature-Dependent Tunneling Current in NiSi 2 Nanocrystals Embedded in Metal-Oxide-Semiconductor Structure.

Szczegóły

Tytuł:: Temperature-Dependent Tunneling Current in NiSi 2 Nanocrystals Embedded in Metal-Oxide-Semiconductor Structure.
Autorzy:: Tsai, Jenn-Kai
Yeh, Bin-Hong
Meen, Teen-Hang
Wu, Tian-Chiuan
Źródło:: Integrated Ferroelectrics. 2013, Vol. 143 Issue 1, p24-31. 8p.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Temperature-Dependent Tunneling Current in NiSi 2 Nanocrystals Embedded in Metal-Oxide-Semiconductor Structure.