Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Mid-Infrared (λ = 2.775μm) Injection Laser Based on AlGaAsSb/InAs/CdMgSe Hybrid Double Heterostructure Grown by Molecular-Beam Epitaxy.

Szczegóły

Tytuł :: Mid-Infrared (λ = 2.775μm) Injection Laser Based on AlGaAsSb/InAs/CdMgSe Hybrid Double Heterostructure Grown by Molecular-Beam Epitaxy.
Autorzy :: Ivanov, S. V.
Moiseev, K. D.
Kaıgorodov, V. A.
Solov’ev, V. A.
Sorokin, S. V.
Meltser, B. Ya.
Grebenshchikova, E. A.
Sedova, I. V.
Terent’ev, Ya. V.
Semenov, A. N.
Astakhova, A. P.
Mikhaılova, M. P.
Toropov, A. A.
Yakovlev, Yu. P.
Kop’ev, P. S.
Alferov, Zh. I.; Pokaż więcej
Źródło :: Semiconductors. Jun2003, Vol. 37 Issue 6, p736. 4p.
: Czasopismo naukowe

Pełny tekst

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Prolib Integro - strona głównaUniwersytet Ekonomiczny we Wrocławiu

Mid-Infrared (λ = 2.775μm) Injection Laser Based on AlGaAsSb/InAs/CdMgSe Hybrid Double Heterostructure Grown by Molecular-Beam Epitaxy.