Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method.

Tytuł:
Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method.
Autorzy:
Kammeugne, R. Kom
Leroux, C.
Cluzel, J.
Vauche, L.
Le Royer, C.
Gwoziecki, R.
Biscarrat, J.
Gaillard, F.
Charles, M.
Bano, E.
Ghibaudo, G.
Źródło:
IEEE Transactions on Electron Devices. Nov2020, Vol. 67 Issue 11, p4649-4653. 5p.
Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies