- Tytuł:
- Analysis of MIS-HEMT Device Edge Behavior for GaN Technology Using New Differential Method.
- Autorzy:
- Źródło:
- IEEE Transactions on Electron Devices. Nov2020, Vol. 67 Issue 11, p4649-4653. 5p.
- Czasopismo naukowe
Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.