Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

1300 V Normally-OFF p-GaN Gate HEMTs on Si With High ON-State Drain Current.

Szczegóły

Tytuł:: 1300 V Normally-OFF p-GaN Gate HEMTs on Si With High ON-State Drain Current.
Autorzy:: Jiang, Huaxing
Lyu, Qifeng
Zhu, Renqiang
Xiang, Peng
Cheng, Kai
Lau, Kei May
Źródło:: IEEE Transactions on Electron Devices. Feb2021, Vol. 68 Issue 2, p653-657. 5p.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

1300 V Normally-OFF p-GaN Gate HEMTs on Si With High ON-State Drain Current.