Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electrostatic Engineering Using Extreme Permittivity Materials for Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Transistors.

Szczegóły

Tytuł:: Electrostatic Engineering Using Extreme Permittivity Materials for Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Transistors.
Autorzy:: Kalarickal, Nidhin Kurian
Feng, Zixuan
Anhar Uddin Bhuiyan, A. F. M.
Xia, Zhanbo
Moore, Wyatt
McGlone, Joe F.
Arehart, Aaron R.
Ringel, Steven A.
Zhao, Hongping
Rajan, Siddharth
Źródło:: IEEE Transactions on Electron Devices. Jan2021, Vol. 68 Issue 1, p29-35. 7p.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Electrostatic Engineering Using Extreme Permittivity Materials for Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Transistors.