Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Impacts of O2 Plasma on Negative Gate Bias Stress Instability of Tunnel Thin-Film Transistor.

Szczegóły

Tytuł:: Impacts of O2 Plasma on Negative Gate Bias Stress Instability of Tunnel Thin-Film Transistor.
Autorzy:: Ma, William Cheng-Yu
Chen, Po-Jen
Chang, Yan-Shiuan
Jhu, Jhe-Wei
Chang, Ting-Hsuan
Źródło:: IEEE Transactions on Plasma Science. Jan2021, Vol. 49 Issue 1, p15-20. 6p.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Impacts of O2 Plasma on Negative Gate Bias Stress Instability of Tunnel Thin-Film Transistor.