Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

CMOS-Compatible Ti/TiN/Al Refractory Ohmic Contact for GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Grown on Ge/Si Substrate.

Szczegóły

Tytuł:: CMOS-Compatible Ti/TiN/Al Refractory Ohmic Contact for GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Grown on Ge/Si Substrate.
Autorzy:: Wang, Yue
Loke, Wan Khai
Gao, Yu
Lee, Kwang Hong
Kian Lee, Kenneth Eng
Gan, Chee Lip
Tan, Chuan Seng
Fitzgerald, Eugene A.
Yoon, Soon Fatt
Źródło:: IEEE Transactions on Electron Devices. Dec2021, Vol. 68 Issue 12, p6065-6068. 4p.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

CMOS-Compatible Ti/TiN/Al Refractory Ohmic Contact for GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Grown on Ge/Si Substrate.