Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Proton-Induced Upset in SOI CMOS SRAMS.

Szczegóły

Tytuł:: Proton-Induced Upset in SOI CMOS SRAMS.
Autorzy:: Liu, S. T.
Liu, H. Y.
Anthony, D.
Heikkila, W.
Hughes, H.
Campbell, A.
Petersen, E. L.
McMarr, P. J.
Źródło:: IEEE Transactions on Nuclear Science. Dec2004 Part 2 of 3, Vol. 51 Issue 6, p3475-3479. 5p.
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Proton-Induced Upset in SOI CMOS SRAMS.