Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Characterization of a Metastable Defect Introduced In Epitaxially Grown Boron Doped Si by 5.4 Mev α-Particles.

Tytuł :
Characterization of a Metastable Defect Introduced In Epitaxially Grown Boron Doped Si by 5.4 Mev α-Particles.
Autorzy :
Mamor, M.
Auret, F. D.
Goodman, S. A.
Meyer, W. E.
Pokaż więcej
Źródło :
MRS Online Proceedings Library; Dec1998, Vol. 510 Issue 1, p449-450, 2p
Konferencja

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies