Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Defects Created by 25 keV Hydrogen Implantation in n -type GaN.

Tytuł :
Defects Created by 25 keV Hydrogen Implantation in n -type GaN.
Autorzy :
Auret, F. D.
Meyer, W. E.
van Laarhoven, H. A.
Goodman, S. A.
Legodi, M. J.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Pokaż więcej
Źródło :
MRS Online Proceedings Library; 2001, Vol. 693 Issue 1, p44-49, 6p
Konferencja

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies