Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

A loss mechanism study of a very high Q silicon micromechanical oscillator.

Tytuł :
A loss mechanism study of a very high Q silicon micromechanical oscillator.
Autorzy :
Liu, Xiao
Vignola, J. F.
Simpson, H. J.
Lemon, B. R.
Houston, B. H.
Photiadis, D. M.
Pokaż więcej
Temat :
MICROELECTROMECHANICAL systems
THIN films
SOLID state electronics
THERMOELASTICITY
CONTINUUM mechanics
LASERS
Źródło :
Journal of Applied Physics; 1/15/2005, Vol. 97 Issue 2, p023524, 6p, 2 Diagrams, 1 Chart, 3 Graphs
Czasopismo naukowe
The room-temperature quality factors of silicon micromechanical oscillators have been investigated by scanning laser vibrometry. One of the flexural modes has very little attachment loss to its environment, which enables us to study internal loss mechanisms. After several consecutive annealing steps up to 800 °C, the quality factor Q has increased from 8×104 to 6.0×105. However, the Q decays to 1.4×105 over six months in air. We conclude that near-surface lattice defects caused by reactive-ion etching and surface adsorbates are the main source of internal loss while surface adsorbates are responsible for the time dependence. We also discuss the thermoelastic limit in terms of Zener’s theory and flexural modal components of thin plates with vibratory volume change, and compare it with our results. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Copyright of Journal of Applied Physics is the property of American Institute of Physics and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies