Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Analog/RF and Power Performance Analysis of an Underlap DG AlGaN/GaN Based High-K Dielectric MOS-HEMT.

Tytuł:
Analog/RF and Power Performance Analysis of an Underlap DG AlGaN/GaN Based High-K Dielectric MOS-HEMT.
Autorzy:
Roy, Akash
Mitra, Rajrup
Mondal, Arnab
Kundu, Atanu
Źródło:
SILICON (1876990X); Apr2022, Vol. 14 Issue 5, p2211-2218, 8p
Czasopismo naukowe
This paper exemplifies an exhaustive, figurative and subjective study on the RF performance and DC characteristics analysis of an Underlapped Double-Gate (U-DG) AlGaN/GaN heterojunction-based MOS-HEMT device with Hafnium-based high-k dielectric gate material. This paper depicts the effect of gate length variations on the drain current (ID), the transconductance (gm), the transconductance generation factor (gm/ID) and the RF FOMs intrinsic capacitances (CGD, CGS and CGG), intrinsic resistances (RGD and RGS), cut-off frequency (fT) and maximum oscillation frequency (fMAX). This study reveals shortening of channel length leading to better gate controllability hence an overall superior analog and RF performance is achieved. The U-DG AlGaN/GaN based MOS-HEMT device of 100 nm channel length shows a better Power Output Efficiency (POE) of 33% in contrast to 31% and 23% for the 200 nm and 300 nm devices respectively. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Copyright of SILICON (1876990X) is the property of Springer Nature and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz