Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Influence of Symmetric Underlap on Analog, RF and Power Applications for DG AlGaN/GaN MOS-HEMT.

Tytuł:
Influence of Symmetric Underlap on Analog, RF and Power Applications for DG AlGaN/GaN MOS-HEMT.
Autorzy:
Mitra, Rajrup
Roy, Akash
Mondal, Arnab
Kundu, Atanu
Źródło:
SILICON (1876990X); Apr2022, Vol. 14 Issue 5, p2329-2336, 8p
Czasopismo naukowe
An Underlap Double Gate (U-DG) Symmetric Heterojunction AlGaN/GaN Metal Oxide Semiconductor High Electron Mobility Transistor (MOS-HEMT) with varying source and drain underlap lengths have been studied. The analog performance of the devices has been studied on the basis of parameters like transconductance (gm), transconductance generation factor (gm/ID) and intrinsic gain (gmR0). This paper also depicts the effect of varying underlap lengths on the RF figure of merits (FOMs) such as the total gate capacitance (CGG), cut-off frequency (fT) and maximum frequency of oscillation (fMAX) using non-quasi-static approach. Studies shows that the increase in underlap length in MOS-HEMT decreases the DIBL and Subthreshold Swing. U-DG AlGaN/GaN MOS-HEMT with 300 nm symmetric underlap device shows superior Power Output Efficiency (POE) of 41% compared to the 200 nm underlap structure and 100 nm underlap length with 35% and 33% respectively. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Copyright of SILICON (1876990X) is the property of Springer Nature and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Prześlij opinię

Twoje opinie są dla nas bardzo ważne i mogą być niezwykle pomocne w pokazaniu nam, gdzie możemy dokonać ulepszeń. Bylibyśmy bardzo wdzięczni za poświęcenie kilku chwil na wypełnienie krótkiego formularza.

Formularz