Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

MOCVD of Al2O3 Films Using New Dialkylaluminum Acetylacetonate Precursors: Growth Kinetics and Process Yields.

Szczegóły

Tytuł:: MOCVD of Al2O3 Films Using New Dialkylaluminum Acetylacetonate Precursors: Growth Kinetics and Process Yields.
Autorzy:: Battiston, G. A.
Carta, G.
Cavinato, G.
Gerbasi, R.
Porchia, M.
Rossetto, G.
Źródło:: Chemical Vapor Deposition; Mar2001, Vol. 7 Issue 2, p69-74, 6p
: Czasopismo naukowe

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

MOCVD of Al2O3 Films Using New Dialkylaluminum Acetylacetonate Precursors: Growth Kinetics and Process Yields.