Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Epitaxial growth of silicon at low temperature by ultrahigh vacuum electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition.

Szczegóły
Abstrakt

Tytuł:: Epitaxial growth of silicon at low temperature by ultrahigh vacuum electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition.
Autorzy:: Nagai, I.
Takahagi, T.
Ishitani, A.
Kuroda, H.
Yoshikawa, M.
Temat:: EPITAXY
SILICON
THIN films
CYCLOTRONS
Źródło:: Journal of Applied Physics; 11/15/1988, Vol. 64 Issue 10, p5183, 6p, 2 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 8 Graphs
: Czasopismo naukowe

Details a study which examined the epitaxial growth of a silicon thin film by ultrahigh vacuum electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition. Relationship between cleaning condition of a substrate and the quality of epitaxially grown silicon film; Experimental procedures; Results and discussion.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Epitaxial growth of silicon at low temperature by ultrahigh vacuum electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition.