Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Effect of high-temperature electron irradiation in deep submicron MOSFETs.

Szczegóły

Tytuł:: Effect of high-temperature electron irradiation in deep submicron MOSFETs.
Autorzy:: Hayama, K.
Ohyanm, H.
Takakura, K.
Simoen, E.
Mercha, A.
Claeys, C.
Źródło:: Proceedings of the 7th European Conference on Radiation & Its Effects on Components & Systems, 2003 (RADECS 2003); 2003, p443-448, 6p
: Konferencja

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Effect of high-temperature electron irradiation in deep submicron MOSFETs.