Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Cyan laser diode grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.

Tytuł:
Cyan laser diode grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy.
Autorzy:
Turski, H.
Muziol, G.
Wolny, P.
Grzanka, S.
Cywiński, G.
Sawicka, M.
Perlin, P.
Skierbiszewski, C.
Temat:
SEMICONDUCTOR lasers
CONTINUOUS wave lasers
MOLECULAR beam epitaxy
CRYSTAL growth
EPITAXY
QUANTUM wells
Źródło:
Applied Physics Letters; 1/13/2014, Vol. 104 Issue 2, p023503-1-023503-4, 4p, 1 Diagram, 5 Graphs
Czasopismo naukowe
We demonstrate AlGaN-cladding-free laser diodes (LDs), operating in continuous wave (CW) mode at 482 nm grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). The maximum CW output power was 230 mW. LDs were grown on c-plane GaN substrates obtained by hydride vapor phase epitaxy. The PAMBE process was carried out in metal-rich conditions, supplying high nitrogen flux (ΦN) during quantum wells (QWs) growth. We found that high ΦN improves quality of high In content InGaN QWs. The role of nitrogen in the growth of InGaN on (0001) GaN surface as well as the influence of LDs design on threshold current density are discussed. [ABSTRACT FROM AUTHOR]
Copyright of Applied Physics Letters is the property of American Institute of Physics and its content may not be copied or emailed to multiple sites or posted to a listserv without the copyright holder's express written permission. However, users may print, download, or email articles for individual use. This abstract may be abridged. No warranty is given about the accuracy of the copy. Users should refer to the original published version of the material for the full abstract. (Copyright applies to all Abstracts.)

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies