Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Analysis of doping concentration and composition in wide bandgap AlGaN:Si by wavelength dispersive X-ray spectroscopy

Tytuł :
Analysis of doping concentration and composition in wide bandgap AlGaN:Si by wavelength dispersive X-ray spectroscopy
Autorzy :
Kusch, Gunnar
Mehnke, Frank
Enslin, Johannes
Edwards, Paul R
Wernicke, Tim
Kneissl, Michael
Martin, Robert W
Pokaż więcej
Temat :
QC
Rok publikacji :
2017
Opis pliku :
application/pdf
Język :
English
ISSN :
0268-1242
DOI :
10.1088/1361-6641/aa58cf
Numer akcesji :
edsair.core.ac.uk....ab8767356d48e163371650a08279fa21
Detailed knowledge of the dopant concentration and composition of wide band gap AlxGa1−xN layers is of crucial importance for the fabrication of ultra violet (UV) light emitting diodes (LEDs). This paper demonstrates the capabilities of wavelength dispersive X-ray (WDX) spectroscopy in accurately determining these parameters and compares the results with those from high resolution X-ray diffraction (HR-XRD) and secondary ion mass spectrometry (SIMS). WDX spectroscopy has been carried out on different silicon-doped wide bandgap AlxGa1−xN samples (x between 0.80 and 1). This study found a linear increase in the Si concentration with the SiH4/group-III ratio, measuring Si concentrations between 3×1018 cm−3 and 2.8×1019 cm−3, while no direct correlation between the AlN composition and the Si incorporation ratio was found. Comparison between the composition obtained by WDX and by HR-XRD showed very good agreement in the range investigated, while comparison of the donor concentration between WDX and SIMS found only partial agreement, which we attribute to a number of effects.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies