Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

MOVPE growth and characterization of quaternary (Ga,In)(As,Bi) on GaAs substrates

Tytuł :
MOVPE growth and characterization of quaternary (Ga,In)(As,Bi) on GaAs substrates
Autorzy :
Hepp, Thilo
Maßmeyer, Oliver
Duffy, Dominic A.
Sweeney, Stephen J.
Volz, Kerstin
Pokaż więcej
Temat :
Quaternary
(Ga,In)(As,Bi)
III/V
MOVPE
Bismuth
Wydawca :
Zenodo, 2019.
Rok publikacji :
2019
Kolekcja :
ZENODO
ZENODO_enriched
Datacite
Datacite_enriched
Język :
English
DOI :
10.5281/zenodo.3378803
Numer akcesji :
edsair.dedup.wf.001..2fdcd1fe912ca929909a841f205bbe1e
The incorporation of dilute amounts of Bi into the host lattice of a III/V semiconductor has a strong influence on its electronic properties. The bandgap is strongly redshifted which makes these materials interesting for application in the near- to mid-infrared regime. Furthermore, the spin-orbit splitting is increased resulting in suppression of hot-hole producing Auger recombination, which makes the fabrication of highly efficient optical devices feasible. However, for ternary Ga(As,Bi) grown using metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE), it has proven difficult to achieve the desired composition of the ternary material. Therefore, the additional incorporation ofindium (In) into Ga(As,Bi), which should induce a further redshift of the bandgap, is investigated and summarized in this paper. For deposition of quaternary (Ga,In)(As,Bi), two different low temperature growth techniques using MOVPE are conducted. The strain and photoluminescence peak positions of the samples are correlated to estimate the composition of the (Ga,In)(As,Bi) layers. It was found that thetrimethylindium and tertiarybutylarsine supplies need to be carefully adjusted to grow high quality bulk materials and that the incorporation of indium is inversely related to the amount of incorporated Bi.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies