Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Application of LTPL investigation methods to CVD-grown SiC

Tytuł :
Application of LTPL investigation methods to CVD-grown SiC
Autorzy :
Camassel, Jean
Juillaguet, Sandrine
Zielinski, Marcin
Balloud, Carole
Pokaż więcej
Temat :
Photoluminescence
Aluminium additions
CV characteristic
Quantity ratio
Doping
Condensed Matter::Materials Science
Low temperature
[ PHYS.COND.CM-MS ] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
CVD
Residual impurity
Crystal growth from vapors
Non oxide ceramics
Reviews
Silicon carbides
Nitrogen additions
Inorganic compounds
Bound exciton
[PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]
Secondary ion mass spectra
Phonon mode
Recombination process
Semiconductor materials
Źródło :
Chemical Vapor Deposition, Wiley-VCH Verlag, 2006, 12 (8-9), pp.549-556. 〈10.1002/cvde.200606472〉
Chemical Vapor Deposition
Chemical Vapor Deposition, Wiley-VCH Verlag, 2006, 12 (8-9), pp.549-556. ⟨10.1002/cvde.200606472⟩
Wydawca :
Wiley-VCH Verlag, 2006.
Rok publikacji :
2006
Kolekcja :
INRIA_a_CCSD_electronic_archive_server_enriched
INRIA_a_CCSD_electronic_archive_server
Hyper_Article_en_Ligne_enriched
Hyper_Article_en_Ligne
Język :
English
ISSN :
0948-1907
1521-3862
DOI :
10.1002/cvde.200606472
Numer akcesji :
edsair.dedup.wf.001..ea475082e41cae06e014805ff3f4f70c
International audience; We review in detail the few (simple) theoretical equations that rule all near-equilibrium recombination processes in semiconductors with direct or indirect bandgaps. In the case of 4H-SiC, we discuss their physical significance and show the corresponding limits. Next, we discuss the effect of residual doping in 3C-SiC and show that, from typical low-temperature photoluminescence (LTPL) data, very simple estimates of the doping level can be made. Finally, we focus on aluminum doping in 4H-SiC. Performing a systematic comparison of LTPL spectra with secondary ion mass spectroscopy (SIMS) and/or capacitance-voltage measurements, we show that a reasonably good value of the residual (or intentional) doping level can be obtained from simple optical measurements. An interesting point is that, in many cases, the use of such optical techniques offers the non-negligible advantage to allow detection beyond the SIMS limit.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies