Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Badanie wpływu naprężeń mechanicznych na wartość napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS

Tytuł:
Badanie wpływu naprężeń mechanicznych na wartość napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS
Autorzy:
Piskorski, K.
Temat:
napięcie wyprostowanych pasm
naprężenia mechaniczne
struktura MOS
flat-band voltage in semiconductor
mechanical stress
MOS structure
Źródło:
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania.
Typ dokumentu:
Article
Język:
Polish
Dostęp URL:
http://yadda.icm.edu.pl/baztech/element/bwmeta1.element.baztech-161c0ad7-2cd4-4245-801d-d7378a8f3353  Link otwiera się w nowym oknie
Numer akcesji:
edsbzt.bwmeta1.element.baztech.161c0ad7.2cd4.4245.801d.d7378a8f3353
Periodyk
W trakcie wieloletnich badań wykazano, że naprężenia mechaniczne w dielektryku pod powierzchnią metalowej bramki struktury MOS mają wpływ na niektóre parametry elektryczne tej struktury, m.in. na napięcie wyprostowanych pasm w półprzewodniku VFB. W wyniku wielu prac dowiedziono, zarówno bezpośrednio jak i pośrednio, że wartości lokalne napięcia VFBmierzone na środku kwadratowej struktury są większe od wartości lokalnych tego napięcia mierzonych na krawędziach i rogach tej struktury. Za ten nierównomierny rozkład napięcia VFBw płaszczyźnie powierzchni bramki odpowiedzialne są, wg postawionej przez nas hipotezy, naprężenia w dielektryku. W pracy przedstawiono wyniki badania wpływu tych naprężeń na wartości napięcia VFBna podstawie pomiarów wykonanych dla różnych temperatur na różnych technologicznie strukturach MOS.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies