Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

What Is the Value of Water Contact Angle on Silicon?

Tytuł:
What Is the Value of Water Contact Angle on Silicon?
Autorzy:
Paweł Bryk
Emil Korczeniewski
Grzegorz S. Szymański
Piotr Kowalczyk
Konrad Terpiłowski
Artur P. Terzyk
Temat:
wetting
silicon
contact angle
molecular dynamics simulation
hydrocarbons hypothesis
Technology
Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
TK1-9971
Engineering (General). Civil engineering (General)
TA1-2040
Microscopy
QH201-278.5
Descriptive and experimental mechanics
QC120-168.85
Źródło:
Materials, Vol 13, Iss 7, p 1554 (2020)
Wydawca:
MDPI AG, 2020.
Rok publikacji:
2020
Kolekcja:
LCC:Technology
LCC:Electrical engineering. Electronics. Nuclear engineering
LCC:Engineering (General). Civil engineering (General)
LCC:Microscopy
LCC:Descriptive and experimental mechanics
Typ dokumentu:
article
Opis pliku:
electronic resource
Język:
English
ISSN:
1996-1944
Relacje:
https://www.mdpi.com/1996-1944/13/7/1554; https://doaj.org/toc/1996-1944
DOI:
10.3390/ma13071554
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/0bb1f2a72781411e95d6e0c3331b606b  Link otwiera się w nowym oknie
Numer akcesji:
edsdoj.0bb1f2a72781411e95d6e0c3331b606b
Czasopismo naukowe
Silicon is a widely applied material and the wetting of silicon surface is an important phenomenon. However, contradictions in the literature appear considering the value of the water contact angle (WCA). The purpose of this study is to present a holistic experimental and theoretical approach to the WCA determination. To do this, we checked the chemical composition of the silicon (1,0,0) surface by using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) method, and next this surface was purified using different cleaning methods. As it was proved that airborne hydrocarbons change a solid wetting properties the WCA values were measured in hydrocarbons atmosphere. Next, molecular dynamics (MD) simulations were performed to determine the mechanism of wetting in this atmosphere and to propose the force field parameters for silica wetting simulation. It is concluded that the best method of surface cleaning is the solvent-reinforced de Gennes method, and the WCA value of silicon covered by SiO2 layer is equal to 20.7° (at room temperature). MD simulation results show that the mechanism of pure silicon wetting is similar to that reported for graphene, and the mechanism of silicon covered by SiO2 layer wetting is similar to this observed recently for a MOF.
Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies