In-situ resonant band engineering of solution-processed semiconductors generates high performance n-type thermoelectric nano-inks

Szczegóły
Opis

Tytuł:: In-situ resonant band engineering of solution-processed semiconductors generates high performance n-type thermoelectric nano-inks
Autorzy:: Ayaskanta Sahu
Boris Russ
Miao Liu
Fan Yang
Edmond W. Zaia
Madeleine P. Gordon
Jason D. Forster
Ya-Qian Zhang
Mary C. Scott
Kristin A. Persson
Nelson E. Coates
Rachel A. Segalman
Jeffrey J. Urban
Temat:: Science
Źródło:: Nature Communications, Vol 11, Iss 1, Pp 1-12 (2020)
Wydawca:: Nature Portfolio, 2020.
Rok publikacji:: 2020
Kolekcja:: LCC:Science
Typ dokumentu:: article
Opis pliku:: electronic resource
Język:: English
ISSN:: 2041-1723
Relacje:: https://doaj.org/toc/2041-1723
DOI:: 10.1038/s41467-020-15933-2
Dostęp URL:: https://doaj.org/article/ea272a98ddaa42608050f52ffbc0c977 Link otwiera się w nowym oknie
Numer akcesji:: edsdoj.272a98ddaa42608050f52ffbc0c977
: Czasopismo naukowe

Full Text Finder

The design of solution-processed thermoelectric nanomaterials with efficient, stable performance remains a challenge. Here, the authors report an in-situ doping method based on nanoscale interface engineering to realize n-type thermoelectric nanowires with high performance and stability.

Informacja