Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Przeglądasz jako GOŚĆ
Tytuł pozycji:

Electrode-induced impurities in tin halide perovskite solar cell material CsSnBr3 from first principles

Tytuł :
Electrode-induced impurities in tin halide perovskite solar cell material CsSnBr3 from first principles
Autorzy :
Yuhang Liang
Xiangyuan Cui
Feng Li
Catherine Stampfl
Simon P. Ringer
Rongkun Zheng
Pokaż więcej
Temat :
Materials of engineering and construction. Mechanics of materials
TA401-492
Computer software
QA76.75-76.765
Źródło :
npj Computational Materials, Vol 7, Iss 1, Pp 1-9 (2021)
Wydawca :
Nature Publishing Group, 2021.
Rok publikacji :
2021
Kolekcja :
LCC:Materials of engineering and construction. Mechanics of materials
LCC:Computer software
Typ dokumentu :
article
Opis pliku :
electronic resource
Język :
English
ISSN :
2057-3960
Relacje :
https://doaj.org/toc/2057-3960
DOI :
10.1038/s41524-021-00533-5
Dostęp URL :
https://doaj.org/article/3326a70c9442416aad764059eb518cb3
Numer akcesji :
edsdoj.3326a70c9442416aad764059eb518cb3
Czasopismo naukowe
Abstract All-inorganic lead-free CsSnBr3 is attractive for applications in solar cells due to its nontoxicity and stability, but the device performance to date has been poor. Besides the intrinsic properties, impurities induced from electrodes may significantly influence the device performance. Here, we systematically studied the stability, transition energy levels, and diffusion of impurities from the most commonly used electrodes (Au, Ag, Cu, graphite, and graphene) in CsSnBr3 based on density functional theory calculations. Our results reveal that, whereas graphite and graphene electrodes exhibit negligible influence on CsSnBr3 due to the relatively high formation energies for carbon impurities in CsSnBr3, atoms from the metal electrodes can effectively diffuse into CsSnBr3 along interstice and form electrically active impurities in CsSnBr3. In this case, a significant amount of donor interstitial impurities, such as $$Ag_i^ +$$ A g i + , $$Cu_i^ +$$ C u i + , and $$Au_i^ +$$ A u i + , will be formed under p-type conditions, whereas the Sn-site substitutional acceptor impurities, namely $$Au_{Sn}^{2 - }$$ A u S n 2 − , $$Ag_{Sn}^{2 - }$$ A g S n 2 − , and $$Cu_{Sn}^{2 - }$$ C u S n 2 − , are the dominant impurities, especially under n-type conditions. In particular, except for $$Au_i^ +$$ A u i + , all these major impurities from the metal electrodes act as nonradiative recombination centers in CsSnBr3 and significantly degrade the device performance. Our work highlights the distinct behaviors of the electrode impurities in CsSnBr3 and their influence on the related devices and provides valuable information for identifying suitable electrodes for optoelectronic applications.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies