Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Micro-Raman Characterization of Structural Features of High-k Stack Layer of SOI Nanowire Chip, Designed to Detect Circular RNA Associated with the Development of Glioma

Tytuł:
Micro-Raman Characterization of Structural Features of High-k Stack Layer of SOI Nanowire Chip, Designed to Detect Circular RNA Associated with the Development of Glioma
Autorzy:
Yuri D. Ivanov
Kristina A. Malsagova
Vladimir P. Popov
Igor N. Kupriyanov
Tatyana O. Pleshakova
Rafael A. Galiullin
Vadim S. Ziborov
Alexander Yu. Dolgoborodov
Oleg F. Petrov
Andrey V. Miakonkikh
Konstantin V. Rudenko
Alexander V. Glukhov
Alexander Yu. Smirnov
Dmitry Yu. Usachev
Olga A. Gadzhieva
Boris A. Bashiryan
Vadim N. Shimansky
Dmitry V. Enikeev
Natalia V. Potoldykova
Alexander I. Archakov
Temat:
nanowire chip
SOI
circular RNA
circ-SHKBP1
micro-Raman spectroscopy
high-k stack layer
Organic chemistry
QD241-441
Źródło:
Molecules, Vol 26, Iss 12, p 3715 (2021)
Wydawca:
MDPI AG, 2021.
Rok publikacji:
2021
Kolekcja:
LCC:Organic chemistry
Typ dokumentu:
article
Opis pliku:
electronic resource
Język:
English
ISSN:
1420-3049
Relacje:
https://www.mdpi.com/1420-3049/26/12/3715; https://doaj.org/toc/1420-3049
DOI:
10.3390/molecules26123715
Dostęp URL:
https://doaj.org/article/54f04f9e234649e1923cbb3ac20541c9  Link otwiera się w nowym oknie
Numer akcesji:
edsdoj.54f04f9e234649e1923cbb3ac20541c9
Czasopismo naukowe
The application of micro-Raman spectroscopy was used for characterization of structural features of the high-k stack (h-k) layer of “silicon-on-insulator” (SOI) nanowire (NW) chip (h-k-SOI-NW chip), including Al2O3 and HfO2 in various combinations after heat treatment from 425 to 1000 °C. After that, the NW structures h-k-SOI-NW chip was created using gas plasma etching optical lithography. The stability of the signals from the monocrine phase of HfO2 was shown. Significant differences were found in the elastic stresses of the silicon layers for very thick (>200 nm) Al2O3 layers. In the UV spectra of SOI layers of a silicon substrate with HfO2, shoulders in the Raman spectrum were observed at 480–490 cm−1 of single-phonon scattering. The h-k-SOI-NW chip created in this way has been used for the detection of DNA-oligonucleotide sequences (oDNA), that became a synthetic analog of circular RNA–circ-SHKBP1 associated with the development of glioma at a concentration of 1.1 × 10−16 M. The possibility of using such h-k-SOI NW chips for the detection of circ-SHKBP1 in blood plasma of patients diagnosed with neoplasm of uncertain nature of the brain and central nervous system was shown.
Zaloguj się, aby uzyskać dostęp do pełnego tekstu.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies